SiC被称作第三代半导体材料之一。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。
据报道，总部位于德国慕尼黑的国际知名半导体企业英飞凌科技公司5月3日发布公报说，已与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体股份有限公司签订一份长期供货协议，以确保获得更多有竞争力的碳化硅来源，维护整体供应链稳定。
