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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于4F²的超薄主体阵列晶体管”的专利，公开号CN121014267A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本技术包括垂直单元阵列晶体管（VCAT），其包括在第一水平方向上布置的位线和在第二水平方向上布置的字线。阵列包括沟道，在与第一方向和第二水平方向大体上正交的垂直方向上延伸，使得位线与多个沟道的源极/漏极区域相交，字线与多个沟道的栅极区域相交。阵列包括其中沟道具有至少一个源极/漏极区域以及设置在第一端与第二端之间的沟道主体。阵列包括其中沟道主体具有比至少一个源极/漏极区域的至少一部分的厚度少了大于或约5%的厚度。
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